111@электро-изоляция.рф +7 (495) 921-35-81

Каталог ГОСТ

Актуальность базы: 21.04.2018, объем: 42,373 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Номер Название Дата введения Статус
1 ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей 30.06.1981 действующий
 
Англ. название: Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции
2 ГОСТ 2169-69 Кремний технический. Технические условия 30.06.1970 действующий
 
Англ. название: Silicon technical. Specifications
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей
Нормативные ссылки: ГОСТ 2169-43
3 ГОСТ 19014.0-73 Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа 01.01.1975 действующий
 
Англ. название: Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния
Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. I, II
4 ГОСТ 19014.1-73 Кремний кристаллический. Методы определения алюминия 01.01.1975 действующий
 
Англ. название: Crystal silicon. Methods of aluminium determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. III
5 ГОСТ 19014.2-73 Кремний кристаллический. Методы определения железа 01.01.1975 действующий
 
Англ. название: Crystal silicon. Methods of iron determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии
Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. IV
6 ГОСТ 19014.3-73 Кремний кристаллический. Методы определения кальция 01.01.1975 действующий
 
Англ. название: Crystal silicon. Methods of calcium determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии
Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. V
7 ГОСТ 19014.4-73 Кремний кристаллический. Методы определения титана 01.01.1975 действующий
 
Англ. название: Crystal silicon. Methods of titanium determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии
Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. VI
8 ГОСТ 19658-81 Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия 01.01.1983 действующий
 
Англ. название: Monocrystalline silicon in ingots. Specifications
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник
Нормативные ссылки: ГОСТ 19658-74
9 ГОСТ 22265-76 Материалы проводниковые. Термины и определения 01.01.1978 действующий
 
Англ. название: Conductor materials. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе
Нормативные ссылки: ГОСТ 17033-71 в части терминологии проводниковых материалов
10 ГОСТ 22622-77 Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров 30.06.1978 действующий
 
Англ. название: Semiconductor materials. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов
11 ГОСТ 26239.0-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца
12 ГОСТ 26239.1-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане
13 ГОСТ 26239.2-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии
14 ГОСТ 26239.3-84 Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии
15 ГОСТ 26239.5-84 Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей 01.01.1986 действующий
 
Англ. название: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01

 

Источник информации: http://электро-изоляция.рф/gosts/580//